霍耳迁移率

霍尔迁移率（Hall Mobility）是描述半导体材料中载流子在外加磁场中偏移速度的物理量。它可以通过霍尔效应来测量，具体计算公式为：

```RH = I * B / n```

其中：

`RH` 是霍尔迁移率；

`I` 是通过半导体横截面的电流强度；

`B` 是施加的磁场强度；

`n` 是载流子浓度。

霍尔迁移率具有迁移率的量纲，并且是霍尔系数 `R_H` 与电导率 `σ` 的乘积，即 `μ_H = R_H * σ`。这个参数对于理解和分析半导体的性质非常重要，因为它可以帮助我们确定半导体内部的载流子类型和浓度。

霍尔迁移率的标准测量方法包括使用流体动力学平衡方程，并且有对应的国家标准，例如中国标准GB/T 4326-2006，提供了非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法。

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